Международный научно-технический журнал, освещающий новые наукоемкие технологии в радиоэлектронике, микро- и наноэлектронике;
рассматривающий вопросы междисциплинарных исследований когнитивных процессов и экономические аспекты.
Журнал входит в Перечень ВАК
Том 26, номер 5, 2025
Главный pедактоp:
Александр
Владимирович
Коренной –
доктор технических наук,
профессор,
ВУНЦ ВВС «ВВА им. проф.
Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина»
(г. Воронеж, Россия)
PЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ
Андреева Ольга Николаевна д.т.н., доцент, АО «Концерн «Моринсис-Агат»;
Московский технологический университет (МИРЭА) (Москва, Россия)
Анциферов Сергей Сергеевич – д.т.н., проф.,
Московский технологический университет (МИРЭА) (Москва, Россия)
Горлачева Евгения Николаевна – д.э.н., доцент,
МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)
Евдокимов Юрий Михайлович – д.х.н., проф.,
Академия государственной противопожарной службы (Москва, Россия)
Евтихиев Николай Николаевич – д.т.н., проф., НИЯУ МИФИ
(г.Фрязино, Россия)
Замуруев Сергей Николаевич – д.т.н.,
Московский технологический университет (МИРЭА) (Москва, Россия)
Зубцов Владимир Иванович – д.т.н. (Беларусь)
Иовдальский Виктор Анатольевич – д.т.н., проф., НПП «Исток»
(г. Фрязино, Россия)
Карцан Игорь Николаевич – д.т.н., доцент, ФИЦ «Морской гидрофизический
институт РАН» (г. Севастополь, Россия)
Кочкаров Расул Ахматович – к.э.н., доцент, Финансовый университет
при Правительстве РФ (Москва, Россия)
Кузнецов Владимир Викторович – к.т. н., доцент,
Московский технологический университет (МИРЭА) (Москва, Россия)
Заместители главного
редактора:
Жуков Александр Олегович –
д.т.н., проф., засл. деятель науки
РФ,
АО ОКБ МЭИ (Москва, Россия)
Савченко Владимир Петрович –
д.т.н., проф.,
АО «Радиотехнический институт
им. академика А.Л. Минца»
(Москва, Россия)
Садковская Наталия
Евгеньевна – д.т.н., проф.,
ФГБОУ ВПО МАИ (НИУ)
(Москва, Россия)
Межуев Александр Михайлович– д.т.н., доцент, ВУНЦ ВВС
«ВВА им. проф. Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина» (г. Воронеж, Россия)
Миронов Владимир Александрович – д.т.н., проф.,
ВУНЦ ВВС «ВВА им. проф. Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина»
(г. Воронеж, Россия)
Нгуен Куанг Тхыонг – д.т.н., проф. (Социалистическая республика Вьетнам),
Государственный университет управления (Москва, Россия)
Пономарев Андрей Владиславович – д.т.н., доцент, ВУНЦ ВВС
«ВВА им. проф. Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина» (г. Воронеж, Россия)
Розанов Владимир Викторович – к.ф.-м.н., д.б.н., проф.,
МГУ им. М.В. Ломоносова (Москва, Россия)
Северцев Николай Алексеевич – д.т.н., проф.,
ФИЦ «Информатика и управление» РАН (Москва, Россия)
Садыхов Гулам Садыхович – д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э. Баумана
(Москва, Россия)
Синицын Игорь Николаевич – д.т.н., проф., ФИЦ ИУ РАН (Москва, Россия)
Тавалинский Дмитрий Анатольевич – д.т.н., профессор,
Военный университет радиоэлектроники (г. Череповец, Россия)
Чеботарь Игорь Викторович – д.т.н.,
Военный университет радиоэлектроники (г. Череповец, Россия)
Стр.2
Содержание
Анализ применимости FinFET-транзисторов при реализации датчиков ионизирующих излучений
Кузичкин О.Р., Курганова А.В., Мухтарова А.А., Херсонский А.П.
Методы обнаружения ошибок в потоковой информации современных реляционных баз данных
технологии Structured Query Language в крупных организациях
Шкоков И.О.
Формирование портфеля технологий предприятия на основе анализа и классификации моделей
и методов формирования портфеля проектов
Халиуллин А.Р.
Алгоритм оценивания живучести комплексов автоматизации сложной организационно-технической
системы
Чащин С.В., Мосин Д.А., Трефилов Д.В., Сухов В.В., Платонова О.В.
Метод управления конфликтом организационно-технических систем
Мистров Л.Е.
Титановая защита глаз и лица на основе микрофасеточных средств индивидуальной защиты
для профессий высокого риска
Горохова С.Г., Курочкин П.А.
Аэротакси как дополнение воздушного транспорта в условиях города
Смирнов С.В.
Владимиру Викторовичу Розанову – 75 лет!
36
46
65
69
78
5
17
26
Стр.3
International scientific and engineering journal covering new knowledge-intensive technologies in radio electronics, micro- and nanoelectronics,
including issues of interdisciplinary research of cognitive processes and economic aspects.
Vol. 26, No. 5, 2025
Editor-in-Chief:
Alexander
Vladimirovich
EDITORIAL BOARD
Korennoy –
Dr Sc., Prof.,
Air Force Academy
n.a. Professor N. E. Zhukovsky and
Yu. A. Gagarin (Voronezh, Russia)
Andreeva Olga Nikolaevna Dr.Sc. (Eng.), Associate prof., JSC "Concern"
Morinsis-Agat"; Moscow Technological University (MIREA) (Moscow, Russia)
Anziferov Sergey S. – Dr.Sc. (Eng.), Prof.,
Moscow Technological University (MIREA) (Moscow, Russia)
Chebotar’ Igor Victorovich – Dr. Sc. (Eng.), Military University of Radio
Electronics (Cherepovets, Russia)
Evdokimov Yuri Mikhailovich – Dr.Sc. (Chem.), Prof.,
Academy of State Fire Service (Moscow, Russia)
Evtikhiyev Nikolay Nikolaevich – Dr.Sc. (Phys.-Math.), Prof., NIAU MEPhI
(Fryazino, Russia)
Gorlacheva Eugenia Nikolaevna – Dr.Sc. (Econ.), Associate Professor,
Moscow State Technical University n.a. N.E. Bauman (Moscow, Russia)
Iovdalsky Victor Anatolyevich – Dr.Sc. (Eng.), Prof., SPE "Istok"
(Fryazino, Russia)
Kartsan Igor Nikolaevich – Dr.Sc. (Eng.), Associate Professor, Federal
Research Center “Marine Hydrophysical Institute of the RAS” (Sevastopol, Russia)
Kochkarov Rasul Akhmatovich – Ph.D. (Econ.), Associate Professor, Financial University
under the Government of the Russian Federation (Moscow, Russia)
Kuznetsov Vladimir Viktorovich – Ph.D. (Eng.), Associate prof.,
Moscow Technological University (MIREA) (Moscow, Russia)
Deputy of the Chapter
of the Editor:
Zhukov Alexander Olegovich –
Dr.Sc. (Eng.), Honored Scientist
of the Russian Federation,
JSC “Special Design Bureau of
MPEI” (Moscow, Russia)
Mezhuev Alexander Mikhailovich Dr.Sc. (Eng.), Associate Professor,
Air Force Academy n.a. Professor N. E. Zhukovsky and Yu. A. Gagarin (Voronezh, Russia)
Mironov Vladimir Alexandrovich – Dr.Sc. (Eng.), Prof., Air Force Academy
n.a. Professor N. E. Zhukovsky and Yu. A. Gagarin (Voronezh, Russia)
Nguyen Kuangg Tkhyong – Dr.Sc. (Eng.), Prof. (Sotsial Republic of Vietnam),
State University of Management (Moscow, Russia)
Ponomarev Andrey Vladislavovich – Dr.Sc. (Eng.), Associate Professor, Air Force
Academy n.a. Professor N. E. Zhukovsky and Yu. A. Gagarin (Voronezh, Russia)
Savchenko
Vladimir Petrovich –
Dr.Sc. (Eng.),
“Academician A.L. Mints Radiotechnical
Institut” JSC (Moscow,
Russia)
Rozanov Vladimir Viktorovich – Ph.D. (Eng.), Dr.Sc. (Biol.), Prof.,
Lomonosov Moscow State University (Moscow, Russia)
Sadykhov Gulam Sadykhovich – Dr.Sc. (Eng.), Prof.,
Bauman Moscow State Technical University (Moscow, Russia)
Severtsev Nikolay Alekseyevich – Dr.Sc. (Eng.), Prof.,
FRC “Informatics and Management” of RAS (Moscow, Russia)
Sadkovskaya Natalya Evgenyevna
– Dr.Sc. (Eng.), Prof.,
Moscow Aviation Institute
(National Research University)
(Moscow, Russia)
Sinitsyn Igor Nikolaevich – Dr.Sc. (Eng.), Prof.,
FRC “Informatics and Management” of RAS (Moscow, Russia)
Tavalinsky Dmitry Anatolye-vich – Dr.Sc. (Eng.), Professor,
Military University of Radio Electronics (Cherepovets, Russia)
Zamuruyev Sergey Nikolaevich – Dr.Sc. (Eng.),
Moscow Technological University (MIREA) (Moscow, Russia)
Zubtsov Vladimir Ivanovich – Dr.Sc. (Eng.) (Belarus)
Стр.4
Contents
Analysis of the Applicability of FinFET Transistors for Ionizing Radiation Sensor Design
Kuzichkin O.R., Kurganova A.V., Mukhtarova A.A., Khersonsky A.P.
Methods for error detection in streaming data of modern relational databases using
Structured Query Language technology in large organizations
Shkokov I.O.
Formation of the company's technology portfolio based on the analysis and classification of models
and methods of project portfolio formation
Khaliullin A.R.
An algorithm for assessing the survivability of automation systems of a complex organizational
and technical system
Chashchin S.V., Mosin D.A., Trefilov D.V., Sukhov V.V., Platonova O.V.
Method of conflict management of organizational and technical systems
Mistrov L.E.
Titanium eye and face protection based on microfibre personal protective equipment
for high-risk professions
Gorokhova S.G., Kurochkin P.A.
Air taxi as a supplement to air transport in city conditions
Smirnov S.V.
15
25
34
45
64
68
76
Все статьи, представленные в данном выпуске журнала, соответствуют номенклатуре специальностей научных работников
Учредитель ООО Издательство Радиотехника. Свидетельство о регистрации ПИ № ФС 77-76516.
Подписано в печать 17.10.2025. Формат 60×88 1/8. Бумага офсетная.
Печ.л. 10. Тираж 650 экз. Изд. № 29.
ООО Издательство Радиотехника: 101000, г. Москва, Подсосенский пер., д. 14, стр. 2. Тел. +7(495)625-92-41.
101000, Russian Federation, Moscow, Podsosensky Lane, 14, bld. 2. Tel./fax +7(495)625-92-41.
Http://www.radiotec.ru
Е-mail: info@radiotec.ru
Дизайн и допечатная подготовка ООО «САЙНС-ПРЕСС».
Отпечатано в типографии ООО «Паблит».
127282, Москва, ул. Полярная, д. 31В, стр. 1. Тел.: (495) 859-48-62.
Заказ №
ISSN 19998465
© ООО Издательство Радиотехника, 2025 г.
Незаконное тиражирование и перевод печатного материала, включенного в журнал,
в электронном и любом другом виде запрещено и карается административной
и уголовной ответственностью по закону РФ «Об авторском праве и смежных правах»
Стр.5
Анализ применимости FinFET-транзисторов при реализации датчиков ионизирующих излучений…
Обзорная статья
УДК 621.396
DOI: https://doi.org/10.18127/j19998465-202505-01
Анализ применимости FinFET-транзисторов
при реализации датчиков ионизирующих излучений
О.Р. Кузичкин1, А.В. Курганова2, А.А. Мухтарова3, А.П. Херсонский4
1–4 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)
1 oldolkuz@yandex.ru
Аннотация
Постановка проблемы. На современном этапе развития микроэлектроники актуальной проблемой стала миниатюризации
транзисторов при сохранении их производительности и энергоэффективности. Традиционные планарные МОП-транзисторы
сталкиваются с критическими ограничениями масштабирования, такими как утечки тока, деградация характеристик и тепловые
эффекты при уменьшении размеров ниже 100 нм. Они существенно снижают возможности дальнейшего развития интегральных
схем и требуют поиска новых архитектур транзисторов.
Цель. Провести комплексный обзор эволюции, принципов работы, конструктивных особенностей и современных модификаций
FinFET-транзисторов, а также систематизировать существующие подходы к их развитию и оценить перспективы внедрения
новых архитектур (GAAFET, CFET, VTFET).
Результаты. Представлен анализ исторического пути технологии FinFET – от первых лабораторных прототипов до промышленного
внедрения в ведущих мировых компаниях (Intel, TSMC, Samsung и др.). Рассмотрены ключевые физические принципы
работы FinFET, включая вертикальную структуру канала и объемное управление затвором, а также технологические особенности
производства. Проведен сравнительный анализ преимуществ FinFET по отношению к планарным транзисторам и
описаны современные модификации: многоплавниковые структуры, архитектуры Gate-All-Around (GAAFET), нанолисты, комплементарные
и вертикальные транзисторы (CFET, VTFET). Отдельное внимание уделено ограничениям масштабирования
FinFET и направлениям их преодоления. Обобщены публикации ведущих исследователей и технологические тренды последних
лет.
Практическая значимость. Полученные результаты и систематизированные сведения о технологиях FinFET и их эволюции
могут быть использованы при проектировании и производстве современных интегральных микросхем, а также при подготовке
специалистов и проведении дальнейших научных исследований в области микроэлектроники. Описанные подходы актуальны
для индустрии процессоров, памяти, мобильных и специализированных вычислительных устройств.
Ключевые слова
FinFET, многозатворный транзистор, GAAFET, нанолист, микроэлектроника, масштабирование, закон Мура, CFET, VTFET, транзисторная
технология
Для цитирования
Кузичкин О.Р., Курганова А.В., Мухтарова А.А., Херсонский А.П. Анализ применимости FinFET-транзисторов при реализации
датчиков ионизирующих излучений // Наукоемкие технологии. 2025. Т. 26. № 5. С. 5−16. DOI: https://doi.org/ 10.18127/
j19998465-202505-01
A brief version in English is given at the end of the article
Введение
Транзисторы с вертикальной структурой канала, в частности, FinFET (Fin Field-Effect Transistor), стали
ключевыми элементами современной наноэлектроники, обеспечив преодоление фундаментальных ограничений
традиционных планарных МОП-структур (Металл Оксид Полупроводник, Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET)) [1, 2]. Переход к многозатворным архитектурам позволил
существенно повысить электростатический контроль, уменьшить токи утечки и сохранить тенденцию
масштабирования интегральных схем в соответствии с законом Мура [3]. Актуальность дальнейшего
исследования обусловлена необходимостью совершенствования технологии FinFET для обеспечения
высокой производительности и энергоэффективности микросхем при уменьшении размеров транзисторов
до технологических норм 5 нм и менее [4].
Ц е л ь р а б о т ы – провести комплексный обзор эволюции, принципов работы, конструктивных
особенностей и современных модификаций FinFET-транзисторов, а также систематизировать существующие
подходы к их развитию и оценить перспективы внедрения новых архитектур (GAAFET, CFET, VTFET).
© Кузичкин О.Р., Курганова А.В., Мухтарова А.А., Херсонский А.П., 2025
Наукоемкие технологии, т. 26, № 5, 2025 г., c. 5−16
5
Стр.6