УДК 539.219.1 ТЕРМОДЕСОРБЦИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО ДЕЙТЕРИЯ ИЗ ВОЛЬФРАМА Ю. М. <...> Гаспарян, С. О. Степанов, А. А. Русинов, Н. Н. Трифонов, А. А. Писарев Московский инженерно-физический институт в фольгах поликристаллического вольфрама толщиной 20 мкм при облучении пучком ионов D2 Методом термодесорбционной спектроскопии (ТДС) изучался захват дейтерия + с энергией 10 кэВ при комнатной температуре. <...> Газовыделение дейтерия в ходе ТДС происходит в составе молекул D2, HD, HDO, D2O. <...> Соотношение между потоками различных молекул зависит как от условий эксперимента, так и от количества захваченного дейтерия. <...> Термодесорбционные спектры состоят из нескольких пиков с температурами Tm = 400ч1050 K. <...> Обсуждаются особенности спектров и их зависимость от условий эксперимента и параметров облучения. <...> Однако особенностью вольфрама является высокая концентрация дефектов с большой энергией связи c водородом, которые появляются уже при производстве материала, а также создаются в ходе облучения. <...> Термодесорбционная спектроскопия является одной из самых простых и в то же время емких методик для изучения захвата водорода в материалах. <...> На данный момент существует довольно много работ по изучению захвата дейтерия с помощью ТДС, в том числе [2–16]. <...> Изучается влияние на захват различных факторов, таких как предоблучение ионами углерода [13], гелия [11], используют облучение непосредственно из плазмы [9], сравниваются различные сплавы вольфрама [7]. <...> Однако даже в простых экспериментах, при облучении чистого вольфрама пучком ионов при комнатной температуре, от автора к автору наблюдается заметное расхождение как в количестве захваченного дейтерия, так и в энергиях дефектов, полученных из спектров. <...> В работе [11] отжиг образца перед облучением заметно снижает захваченное количество дейтерия. <...> В данной работе проводился анализ влияния на термодесорбционные спектры отжига образцов перед облучением, времени выдержки после облучения, контакта образца <...>