www.mashizdat.ru ЭЛЕКТРОНИКА УДК 53.083.98 ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ РЕАЛИЗАЦИИ ИНВАЗИВНЫХ БИОСЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ Гудков А.Г., д-р техн. наук, МГТУ им. <...> Н.Э.Баумана Вьюгинов В.Н., канд. физ.-мат. наук, ЗАО «Светлана-Электронприбор» Зыбин А.А., ЗАО «Светлана-Электронприбор» Мешков С.А., канд. техн. наук, МГТУ им. <...> Н.Э.Баумана Цыганов Д.И., д-р техн. наук, ГБОУ ДПО РМАПО Минздрава России Целью работы является создание инвазивного биосенсора на основе HEMT-транзистора. <...> В качестве базовой выбрана конструкция GaN HEMT-транзистора без затвора, в канале которого сформирован двумерный электронный газ. <...> Чувствительность транзистора к выбранным аналитам обеспечивается соответствующей обработкой затворной области. <...> Важным достоинством предлагаемой конструкции является ее отработанность и технологические возможности производства в России. <...> RESEARCH OF DESIGN-TECHNOLOGY REALIZATION OF INVASIVE BIOSENSORS BASED ON HEMT Gudkov A.G., Doctor of technical science, MSTU n.a. <...> GaN HEMT-transistor without a gate is chosen like a basic design that has a 2-DEG in a channel. <...> В последние годы все более широкое распространение находит особый вид сенсоров биосенсоры, при помощи которых выполняются медицинские анализы, проводится мониторинг состояния больных и мн. др. <...> Мировой рынок биосенсоров по прогнозам экспертов, к 2015 г. составит около 15 млрд. долларов. <...> Перспективным видом биосенсоров являются транзисторные биосенсоры, в частности, биосенсоры на основе полевых транзисторов. <...> Информационным параметром такого биосенсора является изменение тока сток-исток при постоянном напряжении между стоком и истоком [1-3]. <...> Том 21 ¹ 2 (90) 2014 риты и масса бескорпусных транзисторов позволяют использовать их инвазивно, т.е. размещать непосредственно в теле пациента. <...> Основными требованиями, предъявляемыми к такому транзистору, являются высокая чувствительность к выбранному аналиту, избирательность, деградационная стойкость в условиях агрессивной среды, высокая надежность, отсутствие выделений любых веществ. <...> . В материалах <...>